الجی در تاریخ سوم ماه مه، پرچمدار جدید خود را تحت عنوان G7 ThinQ معرفی می‌کند. در اوایل این ماه یک تصویر رندر با تمام گزینه‌های رنگی موجود از این گوشی منتشر شد. ما از قبل می دانستیم که این گوشی دارای بریدگی در صفحه نمایش خواهد بود، اما تصویر جدید ابعادی حتی هیجان انگیز‌تر از این گوشی را نشان می‌دهد، این گوشی دارای کلید پاور در کناره‌ی خود خواهد بود. که اگر درست باشد، این اولین گوشی سری G با چنین ویژگی در پنج سال گذشته خواهد بود.

    گفته می‌شود که G7 ThinQ با یک صفحه نمایش ۶٫۱ اینچی، چیپست Snapdragon 845، همراه با ۴ گیگابایت رم و ۶۴ گیگابایت فضای ذخیره سازی عرضه شود. اطلاعات منتشر شده‌ی قبلی حکایت از پنل M+ LCD در جلو با نسبت ۱۹:۹ و رزولوشن QHD+ دارند.

    این گوشی همچنین دارای قابلیت‌های هوش مصنوعی است، و از این رو نام ThinQ را یدک می‌کشد. این دستگاه با حالت‌های تقویت شده‌ی هوش مصنوعی برای تشخیص تصاویر، ایجاد قابلیت همکاری دستگاه و فرمان‌های انحصاری دستیار گوگل، همراه خواهد بود.

    این مطلب از وب سایت و زسانه بزرگ آپ موزیک رپورتاژ گردیده است.

    دانلود آهنگ تیتراژ سریال راه و بی‌راه با صدای فریدون آسرایی

    موزیک پایانی سریال دیدنی و تماشایی راه و بیراه از شبکه یک با صدای هنرمند فریدون آسرایی

    سریال راه و بیراه تولید شده از گروه فیلم و سریال شبکه یک ، که از ۲۰ فروردین هر شب حوالی ساعت ۲۲:۱۵ روی آنتن می رود.

    کارگردان داود بیدل، تهیه کننده علی سلیمانی / خواننده : فریدون آسرایی

    آهنگسازی : ابولفضل فراز / ترانه سرا : حسین غیاثی

    fereydon دانلود آهنگ تیتراژ سریال شبکه یک فریدون آسرایی

    قسمتی متن آهنگ آهنگ تیتراژ سریال راه و بیراه از فریدون آسرایی

    دوستت دارم ♫

    تو گندم زار باران خورده اى ♫
    دوستت دارم ♫

    مرا دست کسى نسپرده اى ♫
    دوستت دارم ♫

    شبیه خواب بعد از خستگى ♫
    دوستت دارم ♫

    شبیه لحظه وابستگى ♫

    ♪♪♫♫♪♪♯

    یاد من باش اى دلیل خاطرات خوب من
    یاد من باش اى پریشان موى شهر اشوب من
    باز کن ان چشمهاى روشنت را رو به من
    یاد من باش عطر باران خرده محبوب من
    اى صداى کفشهاى پشت در فکر توام ♫
    در میان روزهاى بى خبر فکر توام ♫
    قبل و بعد از روز دلگیر سفر فکر توام ♫
    هر چه راهت دورتر شد بیشتر فکر توام ♫

    بازیگران سریال راه و بیراه

    سیاوش طهمورث، جعفر دهقان، امیرمحمد زند، اردلان شجاع کاوه، مهتاج نجومی، زهره حمیدی، شهرام عبدلی، محمدرضا رهبری، فلور نظری، آرام جعفری، علیرضا جلالی تبار، حمید ابراهیمی، شهروز ابراهیمی، خسرو احمدی، غلامرضا نیکخواه، اسماعیل خلج، مالک حدپور سراج، حسین توشه، فرهاد بشارتی، هادی دیباجی، ریحانه رضی، وحید شیخ زاده، محمدرضا اکبری، امیر زمستانی، مهشید جوادی و آذین فولادوند از بازیگران مجموعه تلویزیونی «راه و بیراه» هستند.

    پخش آنلاین دمو آهنگ

    منبع ( surce ) : دانلود آهنگ تیتراژ سریال شبکه یک فریدون آسرایی



    OnePlus شروع به عرضه‌ی نسخه‌های اندروید اوریو برای OnePlus 5 و OnePlus 5T در آغاز سال جاری کرده بود. سه ماه گذشته و اکنون زمان ارتقاء آن به اوریو ۸٫۱ فرا رسیده است که به عنوان پایه‌ای برای سیستم عامل Oxygen 5.1.0 استفاده می‌شود.

    Screenshots of the new update Screenshots of the new update

    این بروزرسانی ۷۶۶ مگابایت است و آخرین پچ امنیتی را به ارمغان می‌آورد. همچنین بهینه سازی‌هایی برای حالت بازی نیز اضافه شده است، از جمله تنظیمات بهره‌وری انرژی و اولویت بندی شبکه. همچنین تعدادی ویژگی‌ جدید نیز به لانچر اضافه شده است، از جمله اضافه شدن برچسب‌های دسته‌بندی در بخش جستجو و نام گذاری خودکار پوشه‌ها بر اساس دسته‌بندی.

    OnePlus 5T پشتیبانی کامل از ژست‌های روی صفحه‌نمایش را دریافت می‌کند، در حالی که درحال حاضر، صفحه‌نمایش OnePlus 5 با نسبت تصویر استاندارد خود این ویژگی را دریافت نمی‌کند. این شرکت در انجمن خبری خود اعلام کرد که این بسته‌ی بروزرسانی ابتدا برای تعداد کمی از کاربران عرضه می‌شود و اگر همه چیز درست باشد، خیلی زود برای همه‌ی کاربران ارائه خواهد شد.

    این مطلب از وب سایت و زسانه بزرگ آپ موزیک رپورتاژ گردیده است.

    دانلود اهنگ ایمان نبی زاده تو که نباشی

    امروز آپ موزیک برای شما کاربران ترانه تو که نباشی با صدای ایمان نبی زاده با کیفیت اصلی

    Exclusive Song: Iman Nabizadeh – “To Ke Nabashi” With Text And Direct Links In UpMusic

    … جهت تکمیل آرشیو …

    jk 1 دانلود اهنگ ایمان نبی زاده تو که نباشی

    متن آهنگ تو که نباشی ایمان نبی زاده

    ♪♪♫♫♪♪♯

    اگه دلت خواست خورشیدم باش♪♪

    اگه دلت خواست مهتابم شو♪♪

    شبا که خوابی آروم آروم♪♪

    اگه دلت خواست بیتابم شو♪♪

    اگه دلت خواست آوازم باش ♪♪♫♫♪♪♯

    اگه دلت خواست آهنگم کن♪♪

    تو که نباشی خیلی تنهام♪♪

    اگه دلت خواست دلتنگم کن♪♪

    تو که نباشی دلگیرم ♪♪♫♫♪♪♯

    خاموش و تنهام عشق من♪♪

    تو که نباشی میمیرم♪♪

    از دست دنیا عشق من♪♪

    تو که نباشی دلتنگم♪♪

    آه از بی کسی تنهایی♪♪

    تو که نباشی وای از من ♪♪♫♫♪♪♯

    با شب گریه ها عشق من♪♪

    اگه دلت خواست داغم کن♪♪

    با هرم لبهات عشق من♪♪

    اگه دلت خواست خوابم کن ♪♪♫♫♪♪♯

    با فکر فردا عشق من♪♪

    تو که نباشی تاریکم تنهای تنهام بی رویا♪♪

    تو که نباشی می سوزم♪♪

    UpMusicTag دانلود اهنگ ایمان نبی زاده تو که نباشی

    با یادت اینجا عشق من♪♪

    همین که هستی آرومم من♪♪

    همین که گرم با تو دستم ♪♪♫♫♪♪♯

    همین که با من هر جا هستی♪♪

    همین که با تو هر جا هستم♪♪

    تو که نباشی دلگیرم♪♪

    خاموش و تنهام عشق من♪♪

    تو که نباشی میمیرم از دست دنیا عشق من♪♪

    تو که نباشی دلتنگم♪♪

    آه از بی کسی تنهایی ♪♪♫♫♪♪♯

    تو که نباشی، وای از من♪♪

    با شب گریه ها عشق من♪♪

    اگه دلت خواست داغم کن♪♪

    با هرم لبهات عشق من♪♪

    اگه دلت خواست خوابم کن♪♪

    با فکر فردا عشق من ♪♪♫♫♪♪♯

    تو که نباشی تاریکم تنهای تنهام بی رویا♪♪

    تو که نباشی می سوزم♪♪

    با یادت اینجا  عشق من♪♪

    ♪♪♫♫♪♪♯

    ایمان نبی زاده تو که نباشی

    منبع ( surce ) : دانلود اهنگ ایمان نبی زاده تو که نباشی



    کاربران فیس‌بوک همواره نگران شنود مکالمات خود به وسیله نرم‌افزارهای شبکه‌های اجتماعی، از جمله اینستاگرام هستند. این نگرانی آن قدر گسترده شده است که مدیرعامل فیس‌بوک، مارک زاکربرگ (Mark Zuckerberg)، در این هفته مجبور شد در جلسه دادرسی کنگره پاسخگو باشد. موضوع جلسه حفظ حریم خصوصی بود. زاکربرگ این موضوع را «تئوری توطئه» خواند.

    من از این که این را می‌گویم متنفرم، ولی تا جایی که ما می‌توانیم بگوییم، استراق سمع در فیس‌بوک یک افسانه است. من میدانم این افسانه از کجا سرچشمه می‌گیرد. مردم آگهی‌هایی بسیار دقیق و هدف‌گذاری شده مشاهده می‌کنند. گاهی این آگهی‌ها در مورد چیزهایی است که مردم با دوستان خود درباره‌ی آن‌ها در حال بحث کردن هستند. در این صورت این پرسش باید در ذهن کاربران به وجود بیاید که واقعا چه چیزی در پشت صحنه دارد اتفاق می‌افتد. چگونه فیس‌بوک متوجه شد من در رابطه با چه موضوعی حرف می‌زنم و چرا من این آگهی‌ها را باید در این لحظه ببینم؟

    حقیقت آن است که مکالمات واقعی شما نیستند که منجر به تبلیغات هدفمند می‌شوند، اما می‌تواند هر چیز دیگری باشد که شما در حالت آفلاین و آنلاین انجام می‌دهید. شرکت فیس‌بوک با استفاده از ترکرها (trackers – ردگیرنده‌ها، ابزاری برای تحلیل) مانند قابلیت فیس‌بوک پیکسل (Facebook Pixel) یا مانند گزینه‌ی پسندیدن (like) که در سرتاسر اینترنت قرار گرفته است، عادت‌های جستجوی شما، فعالیت اینترنتی و همچنین جامعه‌شناسی شخصیت شما را می‌داند. علاوه بر این‌ها با استفاده از اجازه دسترسی که شما به نرم‌افزار می‌دهید، مکان شما را متوجه می‌شود. با استفاده از تصاویری که آپلود می‌کنید از دوستان و خانواده‌ی شما، ظاهر شما و خریدهای شما در دنیای واقعی اطلاع پیدا میکند. به طور خلاصه شرکت فیس‌بوک نه فقط مکالمات شما بلکه خیلی از چیزها را در مورد شما می‌داند. بعلاوه، هر چند که موارد ذکر شده می‌توانند قوانین شنود تلفن را نقض کند اما این شرکت واقعا به این همه زحمت نیاز ندارد تا آن چیزی که درباره‌ی ما می‌داند اثبات کند.

    این مطلب از وب سایت و زسانه بزرگ آپ موزیک رپورتاژ گردیده است.

    دانلود آهنگ محمد معتمدی تنگ تنهایی

    هم اکنون آپ موزیک برای شما کاربران ترانه تنگ تنهایی با صدای محمد معتمدی با کیفیت اصلی آماده کرده

    شعر : عباس محمدی / آهنگسازی : محسن جلیلی / تنظیم کننده : مهدی آقایی

    Exclusive Song: Mohammad Motamedi – “Tong Tanhaei” With Text And Direct Links In UpMusic

    Mohammad Motamedi Tong Tanhaei دانلود آهنگ محمد معتمدی تنگ تنهایی

    متن آهنگ تنگ تنهایی محمد معتمدی

    ♪♪♫♫♪♪♯

    باد حسرت بر آینه موجی زندانی در تنگم رودی جا مانده از دریا آواز سنگی دلتنگم
    ♪♪♫♫♪♪♯ سرگردانی در خود تنها چون یلدایی بی پایانم غمگین تر از بغض ابری سرگشته و بی بارانم ♪♪♫♫♪♪♯

    UpMusicTag دانلود آهنگ محمد معتمدی تنگ تنهایی

    ♪♪♫♫♪♪♯ ماهم که در مرداب غم از دریایت دور افتادم موجم که از دوری تو بر پای خود سر بنهادم ♪♪♫♫♪♪♯
    من دور از تو تو دور از من چون ماهیم در تنگ غم دریا دریا دلتنگی را بر صخره ها سر میکوبم

    ♪♪♫♫♪♪♯ شعر : عباس محمدی ♪♪♫♫♪♪♯
    سرگردانی در خود تنها چون یلدایی بی پایانم غمگین تر از بغض ابری سرگشته و بی بارانم

    ♪♪♫♫♪♪♯

    محمد معتمدی تنگ تنهایی

    منبع ( surce ) : دانلود آهنگ محمد معتمدی تنگ تنهایی

    این مطلب از وب سایت و زسانه بزرگ آپ موزیک رپورتاژ گردیده است.

    دانلود آهنگ محمد طاهر دلم دست اونه

    هم اکنون می توانید دانلود کنید و لذت ببرید از آهنگ دلم دست اونه با صدای محمد طاهر به همراه تکست

    شعر و آهنگسازی : محمد طاهر / تنظیم کننده : علیرضا افشار

    Exclusive Song: Mohammad Taher – “Delam Daste Oone” With Text And Direct Links In UpMusic

    Mohammad Taher Delam Daste Oone دانلود آهنگ محمد طاهر دلم دست اونه

    متن آهنگ دلم دست اونه محمد طاهر

    ♪♪♫♫♪♪♯

    به چی تو خیره شدی با من حرف بزن میدونی دلت بگیره خودم پشتتم
    یه وقتایی نمیدونم چجوری بهت بگم وقتی میخندی میلرزه همه دنیای من
    ♪♪♫♫♪♪♯ مگه یادم میره که کی بودی تو ندارم طاقت دوریتو  ♪♪♫♫♪♪♯
    وقتایی که میگیره دلم دوس دارم بگی که پشتمی تو
    ♪♪♫♫♪♪♯ مگه یادم میره که کی بودی تو ندارم طاقت دوریتو  ♪♪♫♫♪♪♯
    وقتایی که میگیره دلم دوس دارم بگی که پشتمی تو

    UpMusicTag دانلود آهنگ محمد طاهر دلم دست اونه

    هی کی میپرسه دلت کو میگم دست اونه هرجوری میخوان فکر کنن مهم برام اونه
    اون آدم نیست فرشتس اون همدرد منه اونی که وقتی خستم با خندش کنار منه
    مگه یادم میره که کی بودی تو ندارم طاقت دوریتو
    ♪♪♫♫♪♪♯ وقتایی که میگیره دلم دوس دارم بگی که پشتمی تو ♪♪♫♫♪♪♯
    مگه یادم میره که کی بودی تو ندارم طاقت دوریتو
    وقتایی که میگیره دلم دوس دارم بگی که پشتمی تو

    ♪♪تنظیم کننده : علیرضا افشار♪♪
    مگه یادم میره که کی بودی تو ندارم طاقت دوریتو
    ♪♪♫♫♪♪♯ وقتایی که میگیره دلم دوس دارم بگی که پشتمی تو ♪♪♫♫♪♪♯
    مگه یادم میره که کی بودی تو ندارم طاقت دوریتو
    وقتایی که میگیره دلم دوس دارم بگی که پشتمی تو

    ♪♪♫♫♪♪♯

    محمد طاهر دلم دست اونه

    منبع ( surce ) : دانلود آهنگ محمد طاهر دلم دست اونه

    کشف و دستیابی به قطعات ارزان قیمت نیمه هادی نقطه عطفی در تاریخ منابع تغذیه سوئیچینگ محسوب می شود. این مفهوم از دهه ۱۹۳۰ شناخته شده است، اما در آن زمان منابع تغذیه کمتری با استفاده از تکنیک سوئیچینگ ساخته می شد. نیمه هادی ها مزایای زیادی برای طراح فراهم می کنند که از جمله آن ها می توان به اندازه کوچک، سرعت بالا و استفاده آسان از آن ها را نام برد. تکنولوژی منبع تغذیه سوئیچینگ از آخرین فناوری و پیشرفت های نیمه هادی ها استفاده می کند. امروزه نیمه هادی ها به یک سطح بالایی از پیچیدگی ها و تکامل در رابطه با کاربرد آنها در منابع تغذیه سوئیچینگ رسیده اند. با وجود این همه تکامل در نیمه هادی ها، آن ها آسیب پذیرترین قطعات در یک منبع تغذیه سوئیچینگ می باشند. بنابراین برای طراحی یک منبع تغیه پایدار و قابل اطمینان، طراح نه تنها باید نحوه استفاده از آن ها را بلد باشد، بلکه دلیل خرابی‌شان را نیز باید بداند.

    پیش نیاز های این درس

    منبع تغذیه سوئیچینگ سوئیچ های قدرت

     ترانزیستورهای قدرت دوقطبی

    ترانزیستورهای دو قطبی به عنوان سوئیچ قدرت در منابع تغذیه سوئیچینگ از زمان ظهور نیمه هادی ها مورد استفاده قرار می گرفتند. ولی آن ها کم کم جای خود را به ماسفت های قدرت دادند و الان در کمتر منبع تغذیه از ترانزیستورهای دوقطبی قدرت جهت سوئیچینگ استفاده می شود.

    این مطلب میتونه در شناخت ترانزیستورها مفید باشه:انواع ترانزیستورها

    ترانزیستورهای دوقطبی قدرت یک قطعه کنترل شده با جریان می باشند. یعنی برای جاری شدن جریان از پایه کلکتور آن ها یا به اصطلاح برای روشن شدن ترانزیستور، باید جریانی به پایه بیس آن ها تزریق شود. وقتی ترانزیستور در ناحیه خطی عمل می کند، رابطه بین جریان بیس و کلکتور به رابطه بهره جریان ترانزیستور مشهور می باشد.

    ترانزیستورهای دوقطبی

    درایو کردن بیس ترانزیستور

    ولی تزانزیستورهایی که در منابع تغذیه سوئیچینگ به کار می روند در ناحیه اشباع کار می کنند. چون در ناحیه اشباع افت ولتاژ کلکتور-امیتر به حداقل مقدار خود و جریان کلکتور به حداکثر مقدار خود می رسد. در واقع در این حالت عملکرد ترانزیستور به سوئیچ ایده‌آل نزدیکتر می باشد. در نتیجه رابطه بالا به صورت زیر در می‌آید.

    ترانزیستورهای دوقطبی

    این به این معنی است که طراح باید جریان بیس ترانزیستور را به حد کافی بالا در نظر بگیرد تا ترانزیستور بتواند وارد ناحیه اشباع شود. در این صورت تلفات ترانزیستور به خاطر پایین بودن ولتاژ کلکتور-امیتر، حداقل می شود. بنابراین طراح برای محاسبه جریان بیس، باید بدترین شرایط را در نظر بگیرد. یعنی از حداقل مقدار بهره جریان ترانزیستور برای رسیدن به جریان پیک از قبل تعیین شده استفاده کند.

    مقدار این جریان پیک توسط سلف فیلتر خروجی، ولتاژ ورودی، عرض پالس ها و به بار بستگی دارد.

    درایو بیس ثابت (fixed base drive)

    یک روش معمول برای درایو کردن ترانزیستورها، استفاده از روش درایو بیس ثابت (fixed base drive) می باشد. در این روش جریان زیادی وارد بیس ترانزیستور می شود. و این جریان بالا مشکلاتی را برای طراح به وجود می آورد. اگر این جریان از طریق شبکه ورودی تامین شود، تلفات مدار درایور بیس (Vin .Ib)به شدت بالا خواهد بود. روش های زیادی برای کاهش این تلفات وجود دارد. یکی از این روش ها اضافه کردن سیم پیچ اضافی به ترانسفورمر برای ایجاد ولتاژ پایین نسبت به ولتاژ شبکه ورودی می باشد. این عمل باعث کاهش تلفات درایور بیس می شود. در این روش سرعت قطع شدن ترانزیستور به خاطر رفتن به حالت اشباع، کمتر می باشد. در منابع تغذیه غیر بهینه تلفات مدار درایور بیس ثابت، تقریبا ۴۰درصد از کل تلفات منبع را شامل می شود.

    روش درایو تناسبی (proportional base drive)

    روش دیگر برای درایو کردن بیس ترانزیستور استفاده از روش درایو تناسبی (proportional base drive) می باشد. این روش، جریان کافی برای نگه داشتن ترانزیستور در یک لحظه در حالت اشباع را تامین می کند. و از آنجایی که این جریان از یک منبع ولتاژ پایین تامین می شود، تلفات این روش نسبت به روش قبلی پایین می باشد. همچنین سرعت قطع ترانزیستور در این روش بالاتر می باشد. بنابراین نحوه درایو کردن ترازیستور تاثیر زیادی بر راندمان منبع تغذیه دارد.

    درایو کردن بیس ترانزیستور

    درایو کردن بیس ترانزیستور

    درایو کردن بیس ترانزیستور

    شکل ۱-۵ مدارهای درایور بیس ترانزیستورهای قطبی

    سرعت سوئیچ ترانزیستورهای دوقطبی خیلی آرام تر از ماسفت های قدرت می باشد. همچنین سرعت سوئیچ ترانزیستورهای قدرت بستگی زیادی به مدار درایور آن ها دارد (شکل ۲-۵). در روش درایو ثابت، سرعت سوئیچ بین ۱۰۰نانوثانیه تا ۱٫۵ میکروثانیه می باشد. در منابع تغذیه سوئیچینگ، سرعت سوئیچ تاثیر مستقیمی بر تلفات سوئیچینگ دارد. تلفات ترانزیستور در مدت زمان صعود و نزول آن یعنی مدت زمانی که ترانزیستور از حالت روشن به حالت خاموش و یا بر عکس می رود، اتفاق می افتد. در این لحظه کوتاه ممکن است صدها وات توان در ترانزیستور تلف شود.

    متوسط توان تلف شده در یک بازه مشخص رابطه مستقیمی با فرکانس کاری منبع تغذیه دارد.

    میزان سرعت سوئیچینگ ترانزیستور بستگی زیادی به نرخ شارژ و دشارژ خازن بیس-امیتر دارد. همین امر طراحی مدار درایور برای ترانزیستور را سخت تر می کند. در مدت زمان روشن بودن ترانزیستور، مدار درایور باید به صورت یک منبع جریان عمل کند و خازن را با نرخ مناسبی شارژ کند و در مدت زمان خاموشی ترانزیستور، باید یک مسیر کم مقاومتی را برای تخلیه سریع این خازن فراهم آورد. درایورهای بهینه از دو ترانزیستور pull-up و pull-down مانند توپولوژی totem-pole برای درایو کردن بیس استفاده می کنند. در این مدار، موقعی که ترانزیستور سوئیچ روشن است جریان آن از طریق یک مقاومت سری با منبع و یک مقاومت سری بین بیس ترانزیستور و مدار totem-pole عبور می کند. و یک خازن کوچک از مرتبه ۵۰ تا ۲۰۰ پیکوفاراد موازی با مقاومت بیس ترانزیستور قرار می گیرد. وظیفه این خازن افزایش سرعت سوئیچینگ ترانزیستور می باشد. نحوه کار بدین صورت است که در زمان روشن بودن ترانزیستور این خازن به حد کافی شارژ می شود، با صفر شدن ولتاژ ورودی (ولتاژ درایور)، این خازن به صورت یک ولتاژ منفی روی پیوند بیس-امیتر ظاهر می شود. و این عمل باعث می شود که بارهای ذخیره شده در پیوند بیس-امیتر با سرعت بالایی تخلیه شوند، در نتیجه سرعت خاموش شدن ترانزیستور بیشتر می شود. مقدار ولتاژ منفی ظاهر شده روی پیوند بیس-امیتر ترانزیستور نباید از حد مجاز بیشتر باشد. زیرا اعمال ولتاژ منفی زیاد باعث شکست پیوند شده و باعث خرابی ترانزیستور می شود.

    درایو کردن بیس ترانزیستوردرایو کردن بیس ترانزیستور

    شکل ۲-۵ مدارهای درایور بیس که مانع وارد شدن ترانزیستور به ناحیه اشباع می شوند.

     مقدار ولتاژ معمول برای این کار ماکزیمم ۵- ولت می باشد. در درایورهای با کوپل ترانسفورمری هم از این روش ها برای افزایش سرعت خاموش شدن ترانزیستور استفاده می شود. در این روش ها نیز اگر از روش های پسیو برای خاموش کردن ترانزیستور در طرف اولیه ترانس استفاده شود، سرعت خاموش شدن ترانزیستور همچنان پایین خواهد بود. ولی استفاده از آرایش totem-pole در طرف اولیه ترانسفورمر سرعت سوئیچینگ را بالا خواهد برد.

    مشخصات کلیدی ترانزیستور برای طراحی

    از مشخصات کلیدی و مهم ترانزیستور که باید در فرآیند طراحی مورد بحث و بررسی قرار گیرد، زمان صعود (rise-time)، زمان نزول (fall-time) و زمان ذخیره سازی (storage-time) می باشد. مقادیر داده شده در یک برگه اطلاعات نوعی از آزمایش و روش تستی که در برگه اطلاعات مشخص شده بدست می آید. و مقادیر واقعی در یک منبع تغذیه بستگی زیادی به نحوه درایو کردن ترانزیستور دارد. از آن جایی که روش های تست در برگه اطلاعات مختلف برای ترانزیستورهای مختلف آنچنان باهم فرقی نمی کنند، در نتیجه مقادیر داده شده در برگه اطلاعات روش خوبی برای مقایسه سرعت ترانزیستورها با یکدیگر می باشد.

    زمان صعود و نزول ترانزیستور

    زمان صعود و نزول ترانزیستور توسط میزان سرعت شارژ و دشارژ شدن خازن بیس-امیتر توسط مدار درایور تعیین می شود. و ماکزیمم تلفات در ترانزیستور در این زمان ها اتفاق می افتد و همانطور که قبلا هم اشاره شد این تلفات هم تاثیر مستقیمی بر راندمان منبع تغذیه دارد.

    زمان ذخیره ترانزیستور

    و زمان ذخیره هم توسط میزان جریان اضافی بیس برای به اشباع بردن ترانزیستور، قبل از زمان خاموشی تعیین می شود. بار ذخیره شده در پیوند بیس-امیتر باعث می شود که بعد از برداشته شدن ولتاژ بیس، ترانزیستور همچنان در حالت روشن باقی بماند و بعد از گذشت یک زمان مشخصی ولتاژ کلکتور-امیتر آن شروع به تغییر می کند. بنابراین این مدت زمان را (مدت زمان بین برداشته شدن ولتاژ بیس ترانزیستور و شروع تغییرات در ولتاژ کلکتور-امیتر) زمان ذخیره ترانزیستور می نامند. با اینکه این زمان باعث تلفات آنچنانی در ترانزیستور نمی شود، ولی باعث می شود که منبع تغذیه به یک عرض پالس حداقل محدود شود. همچنین باعث ایجاد زمان مرده نیز می شود.

    خرابی عمده ترانزیستورهای دو قطبی

    دو نوع خرابی عمده برای ترانزیستورهای دو قطبی وجود دارد، که یکی از آن ها پدیده شکست بهمنی می باشد که در آن ولتاژ (Vce(sus از حد مجاز تجاوز می کند و دیگری پدیده شکست دوم می باشد (شکل ۳-۵). شکست بهمنی زمانی اتفاق می افتد که ترانزیستور در حالت قطع باشد و یک ولتاژ نجومی و یا اسپایک وارد پایه کلکتور شود. مشکل شایع تر و پیچیده تر پدیده شکست ثانویه و ازدحام جریان می باشد.

    خرابی عمده ترانزیستورهای دو قطبی

    خرابی عمده ترانزیستورهای دو قطبی

    شکل ۳-۵ مثالی از خراب های ازدهام جریان

    این پدیده ها به ترتیب در مدت زمان روشن بودن و خاموش بودن ترانزیستور اتفاق می افتند. این ها پدیده ها، پدیده های وابسته به ولتاژ می باشند. که در اثر عبور جریان در حضور ولتاژهای نسبتا بالای کلکتور-امیتر رخ می دهند. در واقع در این حالت یک توان لحظه‌ای به طور غیریکنواخت روی سطح پیوند توزیع می شود. در مدت زمان روشن بودن ترانزیستور، گرادیان ولتاژ بیس-کلکتور باعث می شود که جریان کلکتور-امیتر در زیر لبه های لایه امیتر متمرکز شود. و در مدت زمان خاموش بودن ترانزیستور جریان در مرکز لایه امیتر متمرکز می شود. در هر دو حالت جریان متمرکز شده از یک مسیر عمودی عبور می کند که دارای افت ولتاژ زیادی در دو انتهای آن می باشد. این پدیده باعث می شود توان زیادی در یک لحظه و در مساحت کوچکی از لایه های ترانزیستور تلف شود. و همانطور که قبلا هم اشاره شد این توان به صورت یکنواخت روی امیتر توزیع نمی شود.

    خرابی شکست دوم معمولا نزدیک پایه پیوند بیس اتفاق می افتد (شکل ۴-۵) و پدیده ازدحام جریان نیز در طرف مخالف پایه پیوند بیس اتفاق می افتد. چون این پدیده به صورت آنی اتفاق می افتد، در نتیجه ترانزیستور در اثر این اتفاق آنچنان گرم نمی شود و با لمس ترانزیستور مشاهده می شود که ترانزیستور خنک می باشد. جلوگیری از این وضعیت تقریبا اجتناب تاپذیر است. اما برای حداقل کردن این توان لحظه ای لازم است که ترانزیستور با حداکثر سرعت ممکن سوئیچ شود تا زمان لازم برای ایجاد توان کمتر شود. این کار با دو روش صورت می گیرد. اول این که ترانزیستور وارد ناحیه اشباع نشود (اندکی زیر حالت اشباع). این عمل باعث کاهش زمان ذخیره بیس و زمان نزول می شود. راه حل دوم این است که اگر ترانزیستور را وارد ناحیه اشباع کنیم، در این صورت در مدت زمان خاموشی ترانزیستور از ولتاژ منفی برای تخلیه بارها، روی پیوند بیس-امیتر استفاده کنیم.

    خرابی عمده ترانزیستورهای دو قطبی

    شکل ۴-۵ دلیل فیزیکی شکست ثانویه

    برای انتخاب ترانزیستور به نکات زیر توجه کنید:

    1.  حتما از ترانزیستورهایی که برای کاربردهای سوئیچینگ ساخته شده اند استفاده کنید. ساختار این ترانزیستورها طوری است که جریان متمرکز یا انباشته شده را به صورت یکسان روی لایه توزیع می کنند. در نتیجه دماهای بالای ناشی از جمع شدگی جریان در یک نقطه کاهش می یابد.
    2.  ترانزیستوری را انتخاب کنید که ولتاژ شکست آن ۲۵درصد بالاتر از ماکزیمم ولتاژ روی کلکتور-امیتر باشد.

    MOSFETهای قدرت

    ماسفت های قدرت به سرعت در منابع تغذیه سوئیچینگ به عنوان سوئیچ قدرت سرعت بالا محبوبیت پیدا کردند. تکنولوژی ماسفت های قدرت در گذشته نه چندان دور پیشرفت چشمگیری داشته و عملکرد بهتر آنها از ترانزیستورهای دوقطبی قدرت سبقت گرفته است. سرعت سوئیچ ماسفت های قدرت ۱۰ مرتبه بیشتر از ترانزیستورهای دو قطبی قدرت مشابه خود می باشد. ولتاژ اشباع ماسفت های قدرت در حد ترانزیستور های قدرت می باشد. همه این عوامل باعث می شود که ماسفت های قدرت انتخاب بهتری برای منابع تغذیه سوئیچینگ باشند.

    ماسفت های قدرت قطعاتی با گیت ایزوله شده و کنترل شده با ولتاژ می باشند.سرعت سوئیچ ماسفت های قدرت ۱۰ مرتبه بیشتر از ترانزیستورهای دو قطبی قدرت مشابه خود می باشد. ولتاژ اشباع ماسفت های قدرت در حد ترانزیستور های قدرت می باشد.

    درایور گیت ماسفت

    ماسفت های قدرت قطعاتی با گیت ایزوله شده و کنترل شده با ولتاژ می باشند. این به این معنی است که برای درایو کردن گیت ماسفت ها نیاز به جریان خیلی پایینی می باشد. برای به اشباع بردن ماسفت، ولتاژ گیت آنها برای اغلب ماسفت های قدرت باید به مقدار ۱۰ ولت برسد. گیت یک ماسفت را می توان از دید یک خازن نگاه کرد که بین پایه های گیت و سورس قرار گرفته است و مقدار نوعی آن بین ۹۰۰ تا ۲۰۰۰ پیکوفاراد می باشد.

    بنابراین در کاربردهای DC برای روشن و خاموش کردن ماسفت فقط به جریانی در حد نانوآمپر نیاز داریم، ولی در کاربردهای سوئیچینگ برای سوئیچ کردن سریع ماسفت بین حالت های روشن و خاموش نیاز به جریانهایی در حد آمپر و یا جریان های پیک بالاتر می باشد.

    این به این معنی است که درایور گیت ماسفت باید از نوع pull-up/down و امپدانس پایینی داشته باشد مانند درایور totem-pole (شکل ۵-۵). همچنین درایور totem-pole باید یک تغذیه ثابت و پایداری جهت شارژ و دشارژ کردن خازن ماسفت با جریان نسبتا بالا را داشته باشد. و ولتاژ خروجی این درایور باید در حد ولتاژ لازم جهت سوئیچ کردن ماسفت باشد. با چنین درایوری می توان به سرعت سوئیچ ۳۰ الی ۵۰ نانوثانیه بدون ایجاد دردسر رسید. در بعضی مواقع ممکن است ناچار شویم سرعت سوئیچینگ را کاهش دهیم. در چنین حالاتی یک مقاومت محدود کننده جریان با گیت ماسفت سری می کنند. این روش طراح را قادر میکند که کنترل بهتری روی سرعت سوئیچینگ واقعی داشته باشد. معمولا دوره زمانی سوئیچینگ نباید بیشتر از یک میکروثانیه باشد. زیرا در این حالات تلفات سوئیچینگ افزایش یافته و باعث ایجاد گرمای اضافی روی ماسفت می شود.

    MOSFETهای قدرت

    MOSFETهای قدرت

    شکل ۵-۵ مدارهای درایور گیت ماسفت

    ساختار فیزیکی ماسفت آن را در کاربردهای منابع تغذیه سوئیچینگ متفاوت تر می کند. و طراح از این بابت خیالش راحت است که ماسفت ها مانند ترانزیستورهای دو قطبی، مشکلات شکست ثانویه و پدیده ازدحام جریان را ندارند. با اینکه تلفات سوئیچینگ هنوز باعث ایجاد گرما روی ماسفت می شود، اما تمرکز جریان در یک نقطه وجود ندارد. این باعث می شود که محدوده عملکرد سالم بایاس معکوس (RBSOA) و همچنین CSOA ماسفت از توان دوم باشد.

    اثر خازنی میلر

    یک نقطه حائز اهمیت برای طراح این است که امپدانس درایور نباید بیشتر از ۲۰۰ اهم تجاوز کند. این شرط نه تنها برای بالا بردن سرعت سوئیچینگ ضروری است، بلکه برای غلبه بر اثر خازنی میلر نیز ضروری می باشد. خازن میلر یک خازن معادل کوچک ۸۰ الی ۱۰۰ پیکوفارادی بین گیت و درین می باشد. با اینکه مقدار این خازن کوچک است، ولی افت ولتاژ دو سر آن خیلی بزرگ می باشد ( بار ذخیره شده در آن در حد چندین میلی کولن می باشد). هنگامی که ماسفت روشن یا خاموش می شود، خازن میلر ولتاژهای گذرای روی درین را مستقیما به گیت منتقل می کند. بنابراین در درایورهایی که امپدانس بالایی دارند، با رسیدن به ولتاژ آستانه ماسفت، این عمل باعث ایجاد نوسان خواهد شد. با اینکه این عمل برای ماسفت مهلک آور نیست، ولی بشدت توان تلفاتی روی ماسفت را افزایش می دهد. با وجود این در درایورهایی که امپدانس خروجی آنها در حد مجاز می باشد، نیز در شکل موج ولتاژ گیت حالت های گذرا در لبه ها دیده می شود.

    مدها و دلایل خرابی ماسفت های قدرت

    با این که ماسفت های قدرت جهت سوئیچ کردن با فرکانس بالا در منابع سوئیچینگ انتخاب بهتری نسبت به ترانزیستورهای قدرت دو قطبی می باشند، برای طراحی منبع تغذیه قابل اطمینان و پایدار دلیل خراب آن ها نیز باید بررسی شود. مدها و دلایل خرابی زیر به ترتیب اولویت‌شان لیست شده‌اند.

    شکست بهمنی

    ۱ – شکست بهمنی: این مد خرابی موقعی که ولتاژ درین-سورس از حد مجاز ولتاژ شکست در حالت خاموش بودن ماسفت و یا در حال خاموش شدن آن تجاوز کند، اتفاق می افتد. دلیل اصلی به وجود آمدن این مشکل سلف های پراکنده و نشتی ناشی از سیم پیچ اولیه ترانسفورمر می باشد، که در آنها از یکسوکننده های کند با زمان بازیابی مستقیم (Trr) پایین استفاده شده است. این مشکل در اثر ولتاژهای اسپایک به وجود آمده در درین ماسفت در هنگام خاموش شدن ماسفت (زمان نزول) اتفاق می افتد. در ماسفت های معمولی این مشکل ناشی از ترانزیستور انگلی ( که بخشی از دیو انگلی می باشد) به وجود می آید. موقعی که حالت بهمنی اتفاق می افتد، ممکن است ترانزیستور انگلی میزان شکست بهمنی پایین تری نسبت به خود ماسفت از خود نشان دهد. این به این معنی است که اگر ولتاژ ورودی بیشتر از ولتاژ شکست بهمنی ترانزیستور انگلی باشد، ماسفت در معرض خرابی خواهد بود. در ماسفت های اصلاح شده (ruggedized MOSFETs) ولتاژ شکست بهمنی ترانزیستور انگل به میزان بالاتر از ولتاژ شکست بهمنی ماسفت بهینه شده است.

    کاهش اثر اسپایک ها

    برای کاهش اثر این اسپایک ها، بهتر است فاصله بین حلقه های سیم پیچ ترانسفورمر خیلی نزدیکتر به هم باشند و همچنین از دیودهای با سرعت بالا در سمت ثانویه استفاده شود. اگر باز با انجام دادن اینها به نتیجه مطلوب نرسیدیم باید از اسنابرها و مدارهای مهار کننده (بعدا شرح داده می شود) استفاده کنیم. دومین عامل ایجاد این اسپایک ها و ولتاژهای هجومی، شبکه ورودی منبع تغذیه می باشد. و بهترین راه حل برای کاهش این ولتاژها، استفاده از مهارکننده ها قبل از فیلتر RFI در شبکه ورودی می باشد.

    کموتاسیون دیود ذاتی

    ۲ – کموتاسیون دیود ذاتی (commutation of the intrinsic diode): برخی از تولید کنندگان ماسفت های قدرت، همان میزان جریان عبوری از دیود و نرخ سرعت قطع و وصل آن را در مقایسه با خود ماسفت ندارند. بنابراین موقعی که یک جریان از دیود ذاتی عبور می کند، مشکلاتی را به وجود می آورد. اول از همه، برای برخی از دیودها زمان خاموش شدن آنها بسیار طولانی می باشد (شکل ۶-۵). بنابراین باعث به وجود آمدن تلفات اضافی در داخل ماسفت می گردند. بنابراین طراح برای طراحی گرماگیر برای ماسفت، تلفات این دیود را نیز باید در نظر بگیرد. این یکی از عواملی است که به راحتی نادیده گرفته می شود. و می تواند منجر به تلفات بیش از حد در ماسفت شود. اگر دیود زمان بازیابی معکوس پایینی داشته باشد، ممکن است در مدار یک ماسفت دیگری روشن شده باشد. در این صورت یک جریان معکوس خیلی بالایی از دیود عبور می کند و باعث ایجاد اتصال کوتاه شبکه ورودی به زمین می شود. این جریان لحظه‌ای بزرگ منجر به آسیب دیدن ماسفت می شود. این مشکل عمدتا در توپولوژی های نیم-پل و تمام-پل اتفاق می افتد. راه حل این مشکل اضافه کردن دو دیود سرعت بالا به هر یک از ماسفت ها می باشد. اولین دیود به صورت سری با درین ماسفت قرار می گیرد و با خاموش شدن ماسفت این دیود نیز خاموش شده و مانع عبور جریان از دیود ذاتی می شود. و دومین دیود نیز موازی با دیود اول و ماسفت قرار می گیرد و وظایف دیود ذاتی را انجام می دهد.

    MOSFETهای قدرت

    شکل۶-۵

    درایور گیت با امپدانس بالا

    ۳ – درایور گیت با امپدانس بالا: اگر امپدانس راه انداز گیت بالا باشد، در این صورت خازن میلر قادر خواهد بود انرژی کافی برای گیت کوپل کند. و باعث پرش های ناگهانی در لبه های بالا رونده و پایین رونده سیگنال گیت شود. به عبارتی دیگر، FET در هر حالت گذرا (پرش های ناگهانی) شروع به نوسان خواهد کرد و این باعث خواهد شد میزان تلفات توان در ماسفت بیشتر شود. امپدانس مدار راه انداز گیت در منابع تغذیه سوئیچینگ (۱۵KHz<( باید کوچکتر از ۲۰۰ اهم باشد.

    تلفات توان بیش از حد

    ۴ – تلفات توان بیش از حد (overdissipation): این اتفاق زمانی می افتد که طراح تمام تلفاتی را که در داخل ماسفت تلف می شود، در نظر نگیرد. جریان ها و ولتاژهای ماسفت باید توسط پروب های جریان و ولتاژ اسلوسکوپ اندازه گیری شوند. و سپس از روی گراف های بدست آمده ولتاژ و جریان، برای محاسبه توان تلفاتی در ماسفت استفاده می شود. تلفات در ماسفت شامل تلفات اشباع، تلفات سوئیچینگ و تلفات دیود داخلی ماسفت می باشد. اگر طراح یکی از این تلفات را در نظر نگیرد، ممکن است بعدا دچار مشکل شود. و سپس از روی این تلفات باید گرماگیر مناسب برای ماسفت طراحی شود.

    ماسفت های منطقی

    از انواع دیگر ماسفت ها که گاها در منابع تغذیه سوئیچینگ به کار می روند، ماسفت های منطقی ( logic-level MOSFETs) و ماسفت های دارای حسگر جریان (current-sensing MOSFETs) می باشند. خروجی ماسفت های منطقی با سطح ولتاژ ۵ ولت به جای ۱۰ ولت در گیت-سورس به حالت اشباع می روند. این باعث می شود که مدارهای منطقی و دیجیتال و یا مدارهای دیگری که با سطح ولتاژ ۵ ولت کار میکنند قادر به سوئیچ کردن جریان های بالا توسط این ماسفت ها شوند. تنها نقطه ضعف این ماسفت ها در رابطه با کاربرد آن ها در منابع تغذیه سوئیچینگ این است که ظرفیت خازن گیت-سورس آنها دو برابر ماسفت های معمولی می باشد. بنابراین درایو کردن این ماسفت ها سخت تر از ماسفت های معمولی می باشد.

    ماسفت های دارای حسگر جریان

    ماسفت های دارای حسگر جریان (شکل۷-۵)، یک جریان آینه در داخل ماسفت درست می کنند. مقدار این جریان آینه دقیقا متناسب با جریان گذرنده از درین-سورس ماسفت می باشد. اما میزان این جریان خیلی پایین تر از جریان درین می باشد. بنابراین طراح با اندازه گیری این جریان می تواند جریان بار را محاسبه کند (با تلفات پایین). همچنین استفاده از این ماسفت ها به صرفه تر از روش های دیگر برای اندازه گیری جریان بار می باشد. برای انجام این کار دو پایه دیگر در ماسفت در نظر گرفته شده است: پایه آینه که جریان آینه از آن عبور می کند و پایه کلوین که یک پایه اتصال با نویز کم می باشد. جریان آینه با گذاشتن یک مقاومت کوچک بین پایه های آینه و کلوین به ولتاژ تبدیل می شود و سپس این ولتاژ به مدار کنترل اعمال می شود. مقدار مقاومت حسگر جریان نباید بیشتر از ۲۰۰ اهم تجاوز کند زیرا در غیر این صورت گرمای تولید شده در ماسفت در مقاومت اثر کرده و باعث بروز اشتباه و خطا در اندازه گیری می شود.

    ماسفت های دارای حسگر جریان

    شکل ۷-۵ مقایسه تکنیک های حسگر جریان با مقاومتی

    قسمت سوئیچ های قدرت به پایان رسید در جلسه بعدی به دیود‌های به کار رفته در منابع‌تغذیه‌سوئیچینگ می پردازیم.ادامه جلسات را در لینک های زیر یا اینجا مطالعه کنید.

     

    دیگر جلسات این آموزش



    افزایش بودجه ناسا برای ساختن یک سکوی پرتاب جدید توسط کنگره ممکن است باعث شود که ناسا تغییرات بزرگی در برنامه‌ی پرتاب موشک Space Launch System خود به فضا ایجاد نماید. وقتی در سال ۲۰۲۰ انسان با این موشک به فضا پرتاب می‌شود، ممکن است از نسخه‌ی کم قدرت‌تری نسبت به آنچه ناسا پیش‌تر حدس زده بود، استفاده کند. و اگر اعمال این تغییرات ادامه پیدا کند ممکن است ابعاد موشک فضانوردان برای سفر به فضا در ۴۵ سال آینده به تدریج کاهش پیدا کند.

    SLS در دهه‌ی گذشته در حال توسعه بوده است و وقتی توسعه‌اش به پایان برسد تبدیل به موشک اصلی ناسا برای فرستادن فضانوردان به ماه و مریخ خواهد شد. مدت زیادی است که ناسا برای استفاده از SLS در حال برنامه ریزیست و در این راستا دو ماموریت آزمایشی بسیار حیاتی را پیش بینی کرده است. اولین آزمایش که EM-1 نام دارد قرار است بدون سرنشین باشد و در آن از کوچک‌ترین نسخه‌ی پیش بینی شده‌ی موشک برای سفری سه هفته‌ای به دور ماه استفاده شود. ناسا قصد دارد سه سال پس از آن نیز نسخه‌ی بزرگتر و قوی‌تری از موشک را به همراه دو فضانورد و تحت ماموریتی به نام EM-2 به ماه بفرستد.

    اما حالا ممکن است ناسا توسعه‌ی موشک را به تعویق بیندازد و از همان نسخه‌ی کوچک‌تر SLS برای ماموریت دوم استفاده کند. اگر چنین اتفاقی بیفتد ناسا مجبور است نوع دیگری از ماموریت را برای فضانوردان پیش بینی و آماده سازی کند چرا که آن‌ها دیگر از نسخه‌ی قدرتمندتر موشک استفاده نخواهند کرد.

    رابرت لایت فوت (Robert Lightfoot) قائم مقام ناسا دیروز به کنگره‌ی آمریکا گفته است : اگر قرار باشد EM-2 با نسخه‌ی کوچک‌تر موشک انجام شود باید طرح ماموریت را عوض کنیم چرا که با این نسخه قادر به انجام کارهایی نیستیم که با نسخه‌ی بزرگتر موشک قابل اجراست.

    ناسا تاکید کرده است که به هرحال فضانوردان در پرتاب دوم حضور خواهند داشت. اما موشک قادر به حمل تجهیزات علمی اضافه به طوری که پیش‌تر برنامه ریزی شده بود نخواهد بود.

    یک سخنگوی ناسا در اظهارنظری به verge گفته است: هدف اصلی EM-2 تامین امکان عملکردهای مهم و حیاتی موشک و سرنشینان است که شامل: برنامه‌ی ماموریت، عملکرد سیستم‌، رابط کاربری خدمه، ناوبری و هدایت در عمق فضا می‌باشد که با Block 1 SLS نیز قابل دسترسی و تامین است.

    اجرای این تغییرات و اصلاحات در پرتاب‌های آینده تنها با بودجه‌ی عظیم و پیش بینی نشده‌ای که ناسا اخیرا و به خاطر افزایش مالیات درسال ۲۰۱۸ دریافت کرده امکان عملی شدن پیدا کرده است. این آژانس فضایی ۳۵۰ میلیون دلار اضافه برای ساختن سکوی پرتاب دوم SLS دریافت کرده است و این بودجه به ناسا آزادی عمل بیش‌تری برای اجرای چند ماموریت ابتدایی موشک داده است.

    SLS طوری طراحی شده است که از یک سکوی پرتاب قابل حمل که سکوی پرتاب سیار نام گرفته است استفاده کند. و این سکو در مرکز فضایی کندی متعلق به ناسا در فلوریدا قرار خواهد گرفت. ناسا برای آماده سازی پرتاب اول موشک یک سکوی پرتاب قدیمی را اصلاح و بهسازی کرده است که در اصل برای برنامه‌ی صورت فلکی که کنسل شده است ساخته شده بود، برنامه‌ای برای کلید زدن دوباره‌ی ماموریت فرستادن انسان به کره‌ی ماه در دوره‌ی دولت جورج بوش. و برای این بهسازی‌ها زمان زیادی صرف شده، همچنین بنابرگفته‌ی جامعه نجوم آمریکا چیزی حدود ۴۰۰ میلیون دلار هزینه نیز دربرداشته است که رقمی بزرگتر از آنچه که برای ساخت پلتفرم اولیه هزینه شد می‌باشد.

    اما ناسا به یک مشکل برخورد: آژانس متوجه شد که بعد از به پایان رسیدن تمام بهسازی‌ها سازه‌ی این سکوی پرتاب تنها قادر به تحمل کوچک‌ترین نسخه‌ی SLS که Block 1 نام دارد خواهد بود. در حالی که نسخه‌ی بزرگتر SLS که Block 1B نام دارد بسیار بلندتر و سنگین‌تر از چیزی است که سکو قادر به تحمل آن باشد. واین به این معنا بود که سکو پس از به پایان رسیدن پرتاب اول باید دوباره وارد دوره‌ای از بهسازی و اصلاح می‌شد.

    برنامه ریزی ناسا به مشکل برخورده بود. این آژانس فضایی پیش بینی کرده بود که بهسازی دوباره‌ی سکوی پرتاب سیار حداقل ۳۳ ماه یا تقریبا ۳ سال زمان خواهد ‌برد. و در آن بازه‌ی زمانی SLS قادر به پرواز نخواهد بود چرا که با ازکار افتادن سکوی پرتاب، موشک نیز بی‌استفاده می‌شد. علاوه‌ بر آن هرتاخیری که در روند بهسازی پیش می‌آمد باعث به تعویق افتادن اولین پرتاب با سرنشین موشک می‌شد. اما ناسا به دلیل هزینه‌های بالای مورد نیاز برای ساخت یک سکوی پرتاب دیگر به صورت رسمی درخواستی مطرح نکرد.

    بنابراین کنگره آمریکا تصمیم گرفت پیش قدم شود و هزینه‌ی لازم را برای ساختن دومین سکوی پرتاب سیاری که بتواند نسخه‌ی بزرگ‌تر موشک یعنی Block 1B را تحمل کند به ناسا بدهد. به این ترتیب اگر این آژانس فضایی فرآیند ساختن سکو را از همین حالا آغاز کند می‌تواند تا قبل از موعد تعیین شده‌ی پرتاب دارای سرنشین در سال ۲۰۲۳ آن را آماده کرده و به پایان برساند. و دیگر نیازی به صبر کردن برای تمام شدن بهسازی سکوی پرتاب برای پرتاب دوم موشک نخواهد بود.

    حالا که ناسا بودجه لازم را در اختیار دارد از آزادی عمل و خلاقیت بیش‌تری برخوردار خواهد بود. اکنون دو سکوی پرتاب خواهد داشت که یکی برای SLS کوچک‌تر و دیگری برای نسخه‌ی بزرگتر آن استفاده می‌شود. و این به این معناست که ناسا می‌تواند به فرآیند پرتاب Block 1 تا آماده شدن Block 1B ادامه دهد، و همین کار را هم خواهد کرد چرا که آماده سازی block 1B برای پرتاب زمانبر خواهد بود. دلیل این موضوع این است که این نسخه‌ی SLS به یک قطعه‌ی بزرگ و حیاتی به نام یکان رانشگر فوقانی اکتشافی احتیاج دارد که در بالای موشک قرار می‌گیرد. و این همان قطعه‌ای است که به SLS نیروی اضافی می‌دهد. اما این قطعه‌، قطعه‌ی ماشینی پیچیده‌ای است که ناسا هرگز تاکنون نساخته است و همین حالا هم ناسا دچار تاخیرات متعدد در فرآیند آماده سازی SLS شده است، پیامد طبیعی‌ای که ساختن یک موشک از ابتدا به دنبال خواهد داشت.

    بنابراین استفاده‌ی فضانوردان از یک نسخه‌ی کوچک‌تر SLS می‌تواند زمان بین دو ماموریت اولیه را کاهش دهد. لایت فوت در صحبت با کنگره گفته است: حالا که می‌دانیم می‌خواهیم سکوی پرتاب سیار دوم را بسازیم، می‌توانیم این سکوی پرتاب را در جای خود نگه داریم و سپس یک Block 1 دیگر آماده کرده و پرتاب کنیم.

    اما این به آن معناست که یک ماموریت با سرنشین با Block 1 ظرفیت حمل تجهیزات اضافه را نخواهد داشت و فقط شامل خدمه خواهد شد.

    لایت فوت می‌گوید: با این حال همین مقدار برای تضمین و ثابت شدن قدرت SLS در انجام ماموریت‌های دارای سرنشین کافی خواهد بود. او در ادامه اضافه کرد: ما هنوز می‌توانیم با این برنامه فضانوردان را وارد مدار کنیم و تمام سیستم‌هایی که قادر به چک کردن آن‌ها در EM-1 نبوده‌ایم را چک نماییم.

    ضمنا ممکن است که موشک SLS در پرتاب دوم اصلا دارای سرنشین نباشد. همچنین ناسا نیاز دارد تا ماموریت بعدی خود که پرتاب موشک به سمت قمر مشتری یعنی اروپا است را به زودی عملی کند. این ماموریت که  Europa Clipper نام گرفته است توسط کنگره ملزم به عملی شدن با موشک SLS و تا سال ۲۰۲۲ شده است. لایت فوت اشاره کرده است که  Europa Clipper می‌تواند قبل از اولین پرتاب دارای سرنشین SLS به فضا عملی شود، و تنها به زمان آماده شدن کپسول حمل فضانوردان در SLS بستگی دارد و اگر فضاپیمای Europa زودتر آماده شود می‌تواند به همراه موشک Block 1 به فضا پرتاب شود.

    و در پایان لایت فوت در صحبت با کنگره آمریکا با گفتن این که: بودجه ساخت سکوی پرتاب دوم به ما اجازه خواهد داد که وقتی آماده شویم، توانایی پرتاب SLS به سمت فضا با هر محموله‌ای که در آن مقطع آماده شده باشد را داشته باشیم، بر این نکته تاکید کرده است که ناسا اکنون گزینه‌های بسیار مختلفی را در پیش رو دارد.



    از زمانی که اپل اولین بار اپل‌واچ را عرضه کرد، به توسعه دهندگان شخص ثالث اجازه نمی‌داد که فیس‌های سفارشی خود را برای این دستگاه ایجاد و منتشر کنند. با توجه کد کشف شده توسط ۹to5Mac در اخرین نسخه‌ی سیستم عامل توسعه‌دهندگان این دستگاه، این روند ممکن است تغییر کند.

    کد کشف شده توسط ۹to5Mac در WatchOS 4.3.1، شامل برخی نکات در مورد آنچه که در بروزرسانی‌های آینده ارائه خواهد شد، می‌شود، مانند هشدار برای برنامه‌های قدیمی، علاوه بر یک پیام ورود به سیستم که انتظار می‌رود “این قسمت همان جایی باشد که در آن فیس‌های شخص ثالث قابل اجرا و ایجاد باشند. ” این فقط یک فرضیه است، اما به نظر می رسد که اپل می‌تواند اجازه دهد که توسعه دهندگان در آینده فیس‌های خود را ایجاد کنند. هیچ نشانه ای از اینکه اپل چه زمانی این ویژگی را ارائه می‌دهد و یا اینکه اصلا قرار است که چنین اتفاقی رخ دهد یا خیر وجود ندارد، اما به نظر می‌رسد که این‌کار گامی در مسیر درست برای کسانی باشد که از گزینه های فعلی خسته شده اند.

    اپل در سال گذشته در کنفرانس توسعه‌دهندگان جهانی در سال ۲۰۱۷ نسخه‌ی فعلی WatchOS را منتشر کرد و انتظار میرود که WatchOS 5 در ۴ دسامبر سال جاری در WWDC رونمایی شود.

© تمامی حقوق مطالب برای وبسایت آلفا باکس محفوظ است و هرگونه کپی برداری بدون ذکر منبع ممنوع و شرعا حرام می باشد.
قدرت گرفته از : بک لینکس